Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

1EDN7116U

200 V high-side TDI gate driver IC for GaN SG HEMTs and MOSFETs
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1EDN7116U
1EDN7116U
データシート

Product details

  • VCC UVLO
    3.75 V
  • アイソレーション タイプ
    Non-isolated
  • コンフィギュレーション
    High-side
  • チャネル
    1
  • パッケージ
    PG-TSNP-7
  • 伝搬遅延オフ
    55 ns
  • 伝搬遅延オン
    55 ns
  • 入力 Vcc
    4.2 V to 11 V
  • 出力電流 (Source)
    2 A
  • 出力電流 (Sink)
    2 A
  • 出力電流
    2 A
  • 認定
    Industrial
  • 電圧クラス
    200 V
推奨
OPN
1EDN7116UXTSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-7
パッケージ名 N/A
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSNP-7
パッケージ名 -
包装サイズ 4500
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 1EDN7116U is a single-channel gate-driver IC optimized for driving Infineon CoolGaN™ Schottky gate (SG) HEMTs, as well as other GaN SG HEMTs and Si MOSFETs. This gate driver includes several key features that enable a high-performance system design with fast-switching transistors, including Truly Differential Input (TDI), 2 A peak source and sink current, active Miller clamp, and bootstrap voltage clamp.

機能

  • Fully differential logic input circuitry to avoid false triggering in low-side or high-side operation
  • High common-mode input voltage range (CMR) up to ± 200 V for high side operation
  • High immunity to common-mode slew rate (100 V/ns) for robust operation during fast switching transients
  • Compatible with 3.3 V or 5 V input logic
  • 2 A source/sink current capability
  • Active Miller clamp with 5 A sink capability to avoid induced turn-on
  • Active bootstrap clamping
  • Suitable for driving GaN HEMTs or Si MOSFETs
  • Qualified according to JEDEC for target applications

利点

  • High side driving and low side ground bounce immunity during fast switching transitions
  • Optimized switching speed without external gate resistors, by choosing from the family of 1EDN71x6x drivers 
  • Induced turn-on immunity during fast switching transitions
  • Regulated bootstrap voltage, by eliminating bootstrap capacitor overcharging during dead-time

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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