インフィニオン、産業用アプリケーション向けに高電力密度を実現する、Q-DPAKパッケージのCoolSiC™ MOSFET 1200 V G2を発表

マーケットニュース

14/10/2025

2025年7月29日、ミュンヘン (ドイツ)

インフィニオン テクノロジーズ (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) は、トップサイド冷却 (上面放熱、TSC) Q-DPAKパッケージのCoolSiC™ MOSFET 1200 V G2を発表しました。この新デバイスは最適化された熱性能、システム効率、電力密度を提供します。これは、EV充電器、太陽光発電インバーター、無停電電源装置 (UPS)、モータードライブ、ソリッドステート サーキット ブレーカー (SSCB) など、高い性能と信頼性に対する要求の厳しい産業用アプリケーション向けに設計されています。

 

この新しいCoolSiC 1200 V G2テクノロジーは、前世代より大幅に特性が改善され、同等のRDS(on) を持つデバイスと比べてスイッチング損失を最大25%低減できるため、システム効率が最大0.1%向上します。インフィニオンの改良された.XTダイ アタッチ相互接合技術を利用したG2デバイスは、G1ファミリー製品と比較して熱抵抗が15%以上低減し、MOSFETの温度は11%低下します。4  mΩ～78 mΩという優れたRDS(on) 値と幅広い製品ポートフォリオにより、設計者は対象とするアプリケーションに合わせてシステム性能を柔軟に最適化できます。さらに、この新しいデバイスは最大200℃のジャンクション温度 (Tvj) までの過負荷動作に対応し、寄生ターンオンに対する高い堅牢性を備えているため、要求の厳しい動的条件下でも信頼性の高い動作を保証します。

 

CoolSiC MOSFET 1200 V G2は、シングル スイッチとデュアル ハーフブリッジの2つのQ-DPAK構成が用意されています。いずれのバリアントも、インフィニオンのより広範なX-DPAK トップサイド冷却 (TSC) プラットフォームの構成要素です。このプラットフォームは、Q-DPAK、TOLTを含むあらゆるTSCパッケージで標準化された2.3 mmの高さを持つため、柔軟な設計が可能であり、お客様はさまざまな製品を単一のヒートシンク アセンブリの下でスケーラブルに組み合わせることができます。この設計の柔軟性によって高度な電力システムの開発が簡素化され、ソリューションのカスタマイズとその規模に合わせた調整がさらに容易になります。

 

Q-DPAKパッケージは、デバイスの熱をその上面からヒートシンクに直接放散できるようにして熱性能を向上させます。この直接的な熱経路により、従来のボトムサイド冷却パッケージより熱伝導効率が大幅に向上し、よりコンパクトな設計が可能となります。さらに、Q-DPAKパッケージのレイアウト設計によって寄生インダクタンスを最小限に抑えることが可能ですが、これはスイッチング速度の高速化にとって極めて重要です。これによりシステム効率が向上し、電圧オーバーシュートのリスクが軽減されます。このパッケージはフットプリントが小さいため、コンパクトなシステム設計が可能なだけでなく、自動組立プロセスとの親和性によって製造が簡素化され、コスト効率とスケーラビリティが確保されます。

 

供給状況について

CoolSiC MOSFET 1200 V G2のQ-DPAKシングル スイッチおよびデュアル ハーフブリッジ パッケージ バリアントは現在供給中です。詳細についてはwww.infineon.com/coolsic-mosfet-discretesをご覧ください。

インフィニオンについて

インフィニオン テクノロジーズは、パワーシステムとIoTにおける半導体分野のグローバルリーダーであり、製品とソリューションを通じて、脱炭素化とデジタル化を推進しています。全世界で約58,060人の従業員を擁し (2024年9月末時点)、2024会計年度 (2023年10月～2024年9月) の売上高は約150億ユーロです。ドイツではフランクフルト証券取引所 (銘柄コード：IFX)、米国では店頭取引市場のOTCQX (銘柄コード：IFNNY) に上場しています。

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The CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 in a top-side-cooled Q-DPAK package enable higher power density for industrial applications

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Veronika Seifried

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