CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 von Infineon im Q-DPAK-Gehäuse verbessern Leistungsdichte von industriellen Anwendungen

Market News

Jul 29, 2025

München, 29. Juli 2025 – Die Infineon Technologies AG hat die CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 im oberseitig gekühlten (Top-Side Cooled; TSC) Q-DPAK-Gehäuse auf den Markt gebracht. Die neuen Bauteile bieten eine optimierte Wärmeleistung, Systemeffizienz und Leistungsdichte. Sie wurden speziell für anspruchsvolle Industrieanwendungen entwickelt, die hohe Leistung und Zuverlässigkeit erfordern – etwa Ladegeräte für Elektrofahrzeuge, Solarwechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Motorantriebe und Halbleiter-Leistungsschalter.

Die neue CoolSiC 1200 V G2-Technologie bietet deutliche Verbesserungen im Vergleich zur vorherigen Generation: Bei gleichwertigem RDS(on) können die Schaltverluste um bis zu 25 Prozent reduziert werden, was eine Effizienzsteigerung des Gesamtsystems von bis zu 0,1 Prozent ermöglicht. Durch die verbesserte .XT-Die-Attach-Verbindungstechnologie von Infineon erreichen die Bauteile der G2-Familie einen um mehr als 15 Prozent geringeren thermischen Widerstand sowie eine um 11 Prozent niedrigere MOSFET-Temperatur im Vergleich zur G1-Produktfamilie. Entwicklerinnen und Entwickler profitieren außerdem von hervorragenden RDS(on)-Werten zwischen 4 mΩ und 78 mΩ sowie von einem breit aufgestellten Produktportfolio, das ihnen maximale Flexibilität zur Optimierung der Systemleistung für verschiedenste Zielanwendungen bietet. Zudem unterstützt die neue Technologie den Überlastbetrieb bis zu einer Sperrschichttemperatur (Tvj) von 200°C und weist eine hohe Robustheit gegen parasitäres Einschalten auf – ein entscheidender Vorteil für einen zuverlässigen Betrieb unter dynamischen und anspruchsvollen Bedingungen.

Die CoolSiC MOSFETs 1200 V G2 sind in zwei Q-DPAK-Konfigurationen erhältlich: als Einzelschalter und als duale Halbbrücke. Beide Varianten gehören zur umfassenden X-DPAK-Oberseitenkühlungsplattform von Infineon. Mit einer standardisierten Gehäusehöhe von 2,3 mm für alle TSC-Varianten – einschließlich Q-DPAK und TOLT – bietet die Plattform eine hohe Designflexibilität und ermöglicht die Kombination verschiedener Produkte unter einer einzigen Kühlkörperbaugruppe. Dies vereinfacht die Entwicklung fortschrittlicher Stromversorgungssysteme und erleichtert Kunden die Anpassung und Skalierung ihrer Lösungen.

Das Q-DPAK-Gehäuse verbessert die thermische Leistung, indem es eine direkte Wärmeableitung von der Oberseite des Bauteils zum Kühlkörper ermöglicht. Dieser direkte Wärmepfad sorgt für eine deutlich höhere Wärmeübertragungseffizienz im Vergleich zu herkömmlichen, unterseitig gekühlten Gehäusen und erlaubt dadurch kompaktere Designs. Zusätzlich minimiert das Layout des Q-DPAK-Gehäuses parasitäre Induktivitäten, was für höhere Schaltgeschwindigkeiten entscheidend ist. Dadurch wird die Systemeffizienz verbessert und das Risiko von Spannungsspitzen reduziert. Die kompakte Grundfläche des Gehäuses unterstützt platzsparende Systemdesigns. Gleichzeitig erleichtert die Kompatibilität mit automatisierten Fertigungsprozessen die Produktion und ermöglicht kosteneffiziente sowie skalierbare Lösungen.

Verfügbarkeit

Der CoolSiC MOSFET 1200 V G2 ist ab sofort in den Q-DPAK-Gehäusevarianten Einzelschalter und duale Halbbrücke erhältlich. Weitere Informationen sind verfügbar unter www.infineon.com/coolsic-mosfet-discretes.

Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat weltweit rund 58.060 Beschäftigte (Ende September 2024) und erzielte im Geschäftsjahr 2024 (Ende September) einen Umsatz von rund 15 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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Die CoolSiC™ MOSFETs 1200 V G2 im oberseitig gekühlten Q-DPAK-Gehäuse verbessern die Leistungsdichte von industriellen Anwendungen

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Veronika Seifried

Spokesperson Industrial and Infrastructure, GIP Division

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