EVAL_2EDB_HB_GAN
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EVAL_2EDB_HB_GAN

EiceDRIVER™ 2EDB8259Y搭載CoolGaN™ トランジスタ ハーフブリッジ評価ボード
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EVAL_2EDB_HB_GAN
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製品仕様情報

  • Iout
    Depends on the topology and frequency
  • インターフェース
    7-pole position terminal block, 2-pole position terminal block with 5.08mm pitch
  • サブアプリケーション
    Industrial
  • トポロジー
    Half Bridge
  • ファミリー
    CoolGaN™
  • 入力タイプ
    DC
  • 出力電圧 範囲
    0 V～450 V
  • 周波数 (最大)
    2000 kHz
  • 実装
    screw driver for cables connection
  • 対象アプリケーション
    Server and Telecom switch-mode power supplies (SMPS), EV Off-board chargers, Solar micro inverter, Industrial power supplies (SMPS, Residential UPS)
  • 認定
    Industrial
  • 電源電圧 範囲
    0 V～450 V
推奨
OPN
EVAL2EDBHBGANTOBO1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 -
梱包サイズ 1
梱包形態 CONTAINER
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
EVAL_2EDB_HB_GaNは、インフィニオンのEiceDRIVER™ 2EDB8259YとCoolGaN™ トランジスタを組み合わせたテストを行うことができます。補助電源は、バイポーラ/ユニポーラ、絶縁/非絶縁、ブートストラップあり/なしで構成できます。また、降圧またはブースト モード、ダブルパルス試験、連続PWM動作、高電力レベルかつMHz帯域でのハード/ソフト スイッチングに適しており、カスタムのゲートドライバおよび電源回路の設計が不要になります。

特長

  • Simple GaN half-bridge with dedicated GaN driver ICs
  • Configurable auxiliary supply: unipolar vs. bipolar (with regulation on positive or negative rail), isolated vs non-isolated (bootstrap)
  • Shunt on low-side GaN for current measurement

利点

  • Easy setup and use
  • Enable testing with different configurations (Buck, Boost, Direct and Reverse Double Pulse)
  • Evaluate high-frequency capabilities of GaN
  • Evaluate waveforms with low ringing, overshoot, EMI
  • Enables easy evaluation at multi-kilowatt power levels
  • Shoot-through check and Eoss measurements via current shunt

アプリケーション

Bill of Material

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション