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OptiMOS™ 5およびIR MOSFET 60 V/80 V/100 Vロジックレベル

低VGSを必要とするアプリケーション向けのロジックレベルMOSFET

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概要

3つの電圧クラス (60 V、80 V、100 V) があり、インフィニオンのロジックレベルMOSFETはPQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3、SuperSO8パッケージは、ワイヤレス充電、ラップトップアダプター、およびテレコムアプリケーションに適しています。

主な機能

  • 低RQDS(on)およびQgを小型パッケージで実現
  • 高電力密度設計
  • 高スイッチング周波数
  • ロジックレベル互換
  • マイクロコントローラから直接駆動
  • システムコスト削減
  • PQFN 2x2の最小フォームファクター

製品

概要

低QgのロジックレベルMOSFET

これらのデバイスのゲート電荷 (Qg) が低いため、導通性能を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高いスイッチング周波数での動作が可能になります。 さらに、ロジック レベル ドライブは低いゲート閾値電圧(VGS(th))を提供するため、MOSFETを5 Vでマイクロコントローラから直接駆動することができます。

パワーMOSFET スレッショルド電圧の概要

ゲート閾値電圧の定義、VGS(th): パワーMOSFETのソース端子とドレイン端子の間に導通経路を作成するために必要なゲート-ソース間電圧の最小量。

インフィニオン (および業界) は、スレッショルド電圧に関してさまざまなオプションを提供しています。

  • ゲート閾値電圧範囲が~2〜4Vのノーマルレベル(NL)
  • ゲート閾値電圧範囲が ~1 → 3 V のロジック レベル (LL)
  • ゲート閾値電圧範囲が~0.5〜1Vのスーパーロジックレベル(SLL)
ロジックレベルMOSFETを使用する理由

低周波アプリケーションでは、MOSFETをマイクロコントローラから直接駆動できるため、外付けMOSFETドライバは不要です。 一部のシステムではバス電圧が制限されているため (たとえば5 V)、ロジックレベル/スーパーロジックレベルデバイスを使用する必要があります。

通常レベル (NL) デバイスを使用する理由

ノイズの多い環境では、閾値電圧が高くなると、MOSFETの誤ったターンオンが防止されます。これらのデバイスは、より低いゲート電荷とRDS(on)を提供し、標準< = 100Vデバイスに限定されません。

低QgのロジックレベルMOSFET

これらのデバイスのゲート電荷 (Qg) が低いため、導通性能を損なうことなくスイッチング損失を低減します。性能指数の向上により、高いスイッチング周波数での動作が可能になります。 さらに、ロジック レベル ドライブは低いゲート閾値電圧(VGS(th))を提供するため、MOSFETを5 Vでマイクロコントローラから直接駆動することができます。

パワーMOSFET スレッショルド電圧の概要

ゲート閾値電圧の定義、VGS(th): パワーMOSFETのソース端子とドレイン端子の間に導通経路を作成するために必要なゲート-ソース間電圧の最小量。

インフィニオン (および業界) は、スレッショルド電圧に関してさまざまなオプションを提供しています。

  • ゲート閾値電圧範囲が~2〜4Vのノーマルレベル(NL)
  • ゲート閾値電圧範囲が ~1 → 3 V のロジック レベル (LL)
  • ゲート閾値電圧範囲が~0.5〜1Vのスーパーロジックレベル(SLL)

ロジックレベルMOSFETを使用する理由

低周波アプリケーションでは、MOSFETをマイクロコントローラから直接駆動できるため、外付けMOSFETドライバは不要です。 一部のシステムではバス電圧が制限されているため (たとえば5 V)、ロジックレベル/スーパーロジックレベルデバイスを使用する必要があります。

通常レベル (NL) デバイスを使用する理由

ノイズの多い環境では、閾値電圧が高くなると、MOSFETの誤ったターンオンが防止されます。これらのデバイスは、より低いゲート電荷とRDS(on)を提供し、標準< = 100Vデバイスに限定されません。

ドキュメント

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開発者コミュニティ

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