SMBT3906U

SMBT3906U

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

SMBT3906U
SMBT3906U


製品仕様情報

  • fT
    250 MHz
  • hFE 範囲
    100~300
  • ICBO (最大)
    50 nA
  • IC (最大)
    200 mA
  • IC
    200 mA
  • Ptot (最大)
    330 mW
  • VCBO (最大)
    40 V
  • VCEO (最大)
    40 V
  • VCE
    1 V
  • VEBO (最大)
    5 V
  • 極性
    PNP (Dual)

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
PNP Silicon Switching Transistor

特長

  •  High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
  •  Low collector-emitter saturation voltage
  •  For SMBT3906S and SMBT3906U:
  • Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package
  •  Complementary types:  SMBT3904...MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/ U: for orientation in reel  see package information below
  •  Pb-free (RoHS compliant) package
  •  Qualified according AEC Q101

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ