SMBT3906U

データシート

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SMBT3906U
SMBT3906U
データシート

製品仕様情報

  • fT
    250 MHz
  • hFE (範囲)
    100 ～ 300
  • ICBO (最大)
    50 nA
  • IC (最大)
    200 mA
  • IC
    200 mA
  • Ptot (最大)
    330 mW
  • VCBO (最大)
    40 V
  • VCEO (最大)
    40 V
  • VCE
    1 V
  • VEBO (最大)
    5 V
  • 極性
    PNP (Dual)
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
PNP Silicon Switching Transistor

特長

  •  High DC current gain: 0.1 mA to 100 mA
  •  Low collector-emitter saturation voltage
  •  For SMBT3906S and SMBT3906U:
  • Two (galvanic) internal isolated transistor with good matching in one package
  •  Complementary types:  SMBT3904...MMBT3904 (NPN) SMBT3906S/ U: for orientation in reel  see package information below
  •  Pb-free (RoHS compliant) package
  •  Qualified according AEC Q101

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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