Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S29GL512S10GHI023

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S29GL512S10GHI023
S29GL512S10GHI023
データシート

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • Density
    512 MBit
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    100 ns
  • 動作温度 (範囲)
    -40 °C ～ 85 °C
  • 動作電圧 (範囲)
    2.7 V ～ 3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
S29GL512S10GHI023
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-56
パッケージ名 VFBGA-56 (002-15551)
包装サイズ 2700
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-VFBGA-56
パッケージ名 VFBGA-56 (002-15551)
包装サイズ 2700
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
S29GL512S10GHI023は65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術を採用した512 MbパラレルNORフラッシュメモリで、16ビットデータバスと非同期ページモードリードに対応します。100 nsランダムアクセス、15 nsページアクセス、2.7 V～3.6 V単一電源、1.65 V～VCCの多様なI/O、高度なセクタ保護、ハードウェアECC、512バイト書き込みバッファ、10万回の書き換え耐久性を備え、AEC-Q100 Grade 2（–40°C～+105°C）認定取得。高信頼性の車載・産業用途に最適です。

特長

  • 65 nm MIRRORBIT™ Eclipse技術
  • CMOS 3.0 Vコアと多様なI/O
  • 単一電源で動作（2.7 V～3.6 V）
  • I/O電圧範囲1.65 V～VCC
  • 16ビットデータバス
  • 非同期32バイトページリード
  • 512バイト書き込みバッファ
  • 内部ECC単一ビット訂正
  • 128 KB均一セクタ
  • プログラム/消去中断対応
  • 高度なセクタ保護（ASP）
  • 1024バイトOTP領域

利点

  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なI/Oで統合容易
  • 電源設計が簡単
  • 広いI/O電圧対応
  • 16ビットバスで高速転送
  • ページリードで高速アクセス
  • 大容量バッファで高速書込
  • ECCでデータ保護強化
  • セクタ管理が容易
  • プログラム/消去中断可能
  • 強力なデータ/セクタ保護
  • OTPで永久データ保存

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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