S29GL064S80BHV030
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

S29GL064S80BHV030

データシート
パッケージ
ソフトウェア
個.
在庫あり

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S29GL064S80BHV030
S29GL064S80BHV030
個.
データシート


製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2035
  • インターフェース
    Parallel
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    NA
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    GL-S
  • ページ アクセス時間
    15 ns
  • メモリ容量
    64 MBit
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 初期アクセス時間
    80 ns
  • 動作温度 範囲
    -40 °C～105 °C
  • 動作電圧 範囲
    2.7 V～3.6 V
  • 動作電圧
    3 V
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
S29GL064S80BHV030
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH
ウェハ製造国
US
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-VFBGA-48
パッケージ名 VFBGA-48 (002-19063)
梱包サイズ 676
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH
ウェハ製造国
US
個.
在庫あり
S29GL064S80BHV030は64 Mb（8 MB）のパラレルNORフラッシュメモリで、65 nm MIRRORBIT™技術、3.0 V単一電源、1.65 V～VCCのI/Oに対応します。トップブートセクタ構成、AEC-Q100 Grade 2車載認証（–40°C～+105°C）、48ボールファインピッチBGAパッケージを採用。70～90 nsアクセス、128ワード/256バイト書き込みバッファ、10万回/セクタ消去、高度なセクタ保護により自動車や組み込み用途で高いデータ信頼性と安全性を実現します。

特長

  • 3.0 V単一電源動作
  • 65 nm MIRRORBIT™プロセス
  • 16ビット/8・16ビットバス
  • 70 nsアクセス, 15 nsページ読出
  • 8ワード/16バイトページバッファ
  • 128ワード/256バイト書込バッファ
  • 内蔵ECC単一ビット訂正
  • 高度なセクタ保護(永続/パスワード)
  • 1セクタ10万回消去
  • 20年データ保持(標準)
  • 自動スリープ・待機モード
  • JEDEC CFI・コマンド互換

利点

  • 3.0 Vで電源設計が容易
  • 65 nm技術で高信頼性
  • 柔軟なバスで設計自由度
  • 高速アクセスで性能向上
  • ページバッファで高速読出
  • 書込バッファで書込短縮
  • ECCでデータ保護
  • 多段階保護で安全性向上
  • 高耐久で保守コスト削減
  • 長期保持で重要データ保護
  • 省電力で電池寿命延長
  • JEDEC互換で統合容易

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ