Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

S26HS512TGABHI010

EA.
在庫あり

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S26HS512TGABHI010
S26HS512TGABHI010
EA.

製品仕様情報

  • Currently planned availability until at least
    2037
  • Density
    512 MBit
  • NPSGに発行
    N
  • PSGに発行
    N
  • インターフェース
    HYPERBUS
  • インターフェース周波数 (SDR/DDR) (MHz)
    - / 200
  • インターフェース帯域幅
    400 MByte/s
  • ピークリフロー温度
    260 °C
  • ファミリー
    HS-T
  • リードボール仕上げ
    Sn/Ag/Cu
  • 動作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 動作電圧
    1.8 V
  • 認定
    Industrial
OPN
S26HS512TGABHI010
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 FBGA-24 (002-15550)
包装サイズ 338
包装形態 TRAY
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
S26HS512TGABHI010は512 Mb SEMPER™ NORフラッシュメモリで、HYPERBUS™インターフェースとJEDEC eXpanded SPI (JESD251)対応、DDR動作時最大400 MBps(200 MHz)を実現。Infineonの45nm MIRRORBIT™技術を採用し、ISO26262 ASIL-B準拠の機能安全、内蔵ECCによる1ビット訂正・2ビット検出、高度なセクタ保護を備えています。動作電圧は1.7 V~2.0 V、自動車、産業、安全重要用途に最適です。

機能

  • 45 nm MIRRORBIT技術、2ビット/セル
  • セクタ構成選択可:均一/ハイブリッド
  • 256/512バイトページプログラムバッファ
  • OTPセキュアシリコン領域(SSR)1024バイト
  • HYPERBUSと従来SPIインターフェース
  • DDR最大400MBps、SDR最大21MBps
  • 組込ECC:1ビット訂正・2ビット検出
  • インターフェース・データCRC
  • SafeBoot・AutoBoot機能
  • 高度なセクタ保護
  • Endurance Flex高耐久/長期保持分割
  • JEDEC xSPI(JESD251)準拠

利点

  • 高密度・高信頼性で厳しい用途対応
  • 柔軟なメモリ構成で設計容易
  • 高速プログラムでスループット向上
  • 機密データ安全保存
  • 複数ホストIFと簡単統合
  • 高速アクセスで迅速データ取得
  • データ完全性・耐障害性強化
  • 通信エラー検出・訂正
  • 高速・確実な起動と復旧
  • 細かなメモリ保護設定
  • 耐久性カスタマイズ可能
  • 業界標準で幅広く利用

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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