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S25FL256SAGMFMG13

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S25FL256SAGMFMG13
S25FL256SAGMFMG13
データシート

製品仕様情報

推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
S25FL256SAGMFMG13は256 Mb（32 MB）SPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用し、プログラム・消去性能を強化。シングル/デュアル/クワッドI/O SPIとDDRモードに対応し、最大133 MHz（SDR）、80 MHz（DDR）の読み出し速度を実現。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 V、柔軟なセクタ構成、10万回の書き換え、20年データ保持を特長とし、AEC-Q100 Grade 1認証取得で、車載コードストレージや組込データロギング用途に最適。

特長

  • MIRRORBIT™技術で1セル2ビット保存
  • Eclipseアーキ高速書込/消去
  • SPIマルチI/O：x1/x2/x4対応
  • SDR/DDR読出最大80 MBps
  • 256B/512Bページ書込バッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 大容量で信頼性高いデータ保存
  • 高速書込/消去で性能向上
  • 柔軟I/Oで幅広い互換性
  • 高速読出でXIPに最適
  • 効率的な書込バッファで高速化
  • 多様な消去で旧設計移行容易
  • 長寿命で保守負担軽減
  • 長期データ保持で信頼性
  • OTP領域でセキュリティ向上
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 広電圧範囲で多様な機器対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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