S25FL256SAGMFMG13
Active and preferred
RoHS対応

S25FL256SAGMFMG13

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

S25FL256SAGMFMG13
S25FL256SAGMFMG13
データシート


製品仕様情報


推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-DSO-16
パッケージ名 SOIC-16 (002-15547)
梱包サイズ 1450
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 3
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
TH,TW
ウェハ製造国
US
S25FL256SAGMFMG13は256 Mb（32 MB）SPI NORフラッシュメモリで、インフィニオンの65 nm MIRRORBIT™技術とEclipseアーキテクチャを採用し、プログラム・消去性能を強化。シングル/デュアル/クワッドI/O SPIとDDRモードに対応し、最大133 MHz（SDR）、80 MHz（DDR）の読み出し速度を実現。コア電圧2.7 V～3.6 V、I/O電圧1.65 V～3.6 V、柔軟なセクタ構成、10万回の書き換え、20年データ保持を特長とし、AEC-Q100 Grade 1認証取得で、車載コードストレージや組込データロギング用途に最適。

特長

  • MIRRORBIT™技術で1セル2ビット保存
  • Eclipseアーキ高速書込/消去
  • SPIマルチI/O：x1/x2/x4対応
  • SDR/DDR読出最大80 MBps
  • 256B/512Bページ書込バッファ
  • ハイブリッド/ユニフォーム消去
  • 10万回書換耐久
  • 20年データ保持
  • 1024バイトOTP領域
  • 高度なセクタ/ブロック保護
  • コア2.7-3.6 V、I/O 1.65-3.6 V
  • 動作温度–40°C～+125°C

利点

  • 大容量で信頼性高いデータ保存
  • 高速書込/消去で性能向上
  • 柔軟I/Oで幅広い互換性
  • 高速読出でXIPに最適
  • 効率的な書込バッファで高速化
  • 多様な消去で旧設計移行容易
  • 長寿命で保守負担軽減
  • 長期データ保持で信頼性
  • OTP領域でセキュリティ向上
  • 強力な保護でデータ損失防止
  • 広電圧範囲で多様な機器対応
  • 広温度範囲で過酷環境対応

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ