RIC7S113L4SCB
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RIC7S113L4SCB
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データシート

製品仕様情報

  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VS (最大)
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    MO-036AB
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス 範囲
    5 V～20 V
  • 電源電圧 範囲
    10 V～20 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
Rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver RIC7S113L4SCB has independent high and low side referenced output channels. Designed for harsh radiation environments such as space, its electrical parameters are characterized up to 100 krad(Si) TID and LET of 81.9 MeV·cm2/mg. MIL-PRF-38535 Level B screening in a MO-036AB CIC package.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ