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RIC7S113L4SCB

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RIC7S113L4SCB
RIC7S113L4SCB
データシート

製品仕様情報

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VS (最大)
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    MO-036AB
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス (範囲)
    5 V ～ 20 V
  • 電源電圧 (範囲)
    10 V ～ 20 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver RIC7S113L4SCB has independent high and low side referenced output channels. Designed for harsh radiation environments such as space, its electrical parameters are characterized up to 100 krad(Si) TID and LET of 81.9 MeV·cm2/mg. MIL-PRF-38535 Level B screening in a MO-036AB CIC package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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