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RIC7S113L4SCB

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RIC7S113L4SCB
RIC7S113L4SCB
データシート

Product details

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    17 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    100 ns
  • ton
    120 ns
  • tr
    25 ns
  • VS max
    400 V
  • OverClocking
    Delay Matching 20 (ns)
  • Configuration
    High-side and low-side
  • Channels
    2
  • Package
    MO-036AB
  • Download Model
    https://www.infineon.com/cms/dgdl/Infineon-Spice_File_RIC7S113-SimulationModels-v01_01-EN.zip?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f50157201414
  • Output Voltage max
    20 V
  • Product Category
    HiRel Power ICs
  • Language
    SPICE
  • Voltage Class
    100 V
  • Bias Supply Voltage
    5 V to 20 V
  • Supply Voltage
    10 V to 20 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-DIP-14
パッケージ名 14 Pin Dual In Line SB
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-DIP-14
パッケージ名 14 Pin Dual In Line SB
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver RIC7S113L4SCB has independent high and low side referenced output channels. Designed for harsh radiation environments such as space, its electrical parameters are characterized up to 100 krad(Si) TID and LET of 81.9 MeV·cm2/mg. MIL-PRF-38535 Level B screening in a MO-036AB CIC package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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