RIC7S113E4SCB
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RIC7S113E4SCB

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RIC7S113E4SCB
RIC7S113E4SCB
データシート


製品仕様情報

  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VS (最大)
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    LCC-18
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス 範囲
    5 V～20 V
  • 電源電圧 範囲
    10 V～20 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-LCC-18
パッケージ名 LCC-18 CIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-LCC-18
パッケージ名 LCC-18 CIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
RIC7S113E4SCB is a rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Packaged in a LCC CIC, it is intended for harsh radiation environments such as space, with electrical parameters specified up to 100 krad(Si) and single effect effects (SEE) characterized up to LET of 81.9 MeV·cm2/mg. This device is screened per MIL-PRF-38535 Level B.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ