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RIC7S113E4SCB

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RIC7S113E4SCB
RIC7S113E4SCB
データシート

製品仕様情報

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VS max
    400 V
  • オーバークロッキング
    Delay Matching 20 (ns)
  • コンフィギュレーション
    High-side and low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    LCC-18
  • 出力電圧 max
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE
  • 電圧クラス
    100 V
  • 電源電圧のバイアス
    5 V to 20 V
  • 電源電圧
    10 V to 20 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
RIC7S113E4SCB is a rad hard high voltage, high speed power MOSFET and IGBT driver with independent high and low side referenced output channels. Packaged in a LCC CIC, it is intended for harsh radiation environments such as space, with electrical parameters specified up to 100 krad(Si) and single effect effects (SEE) characterized up to LET of 81.9 MeV·cm2/mg. This device is screened per MIL-PRF-38535 Level B.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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