Active and preferred

RIC74424HSCB

データシート
パッケージ
ボード

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

RIC74424HSCB
RIC74424HSCB
データシート

製品仕様情報

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VS (最大)
    20 V
  • コンフィギュレーション
    Low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    8-Lead FlatPack
  • 出力電圧 (最大)
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
  • 電源電圧のバイアス (範囲)
    5 V ～ 20 V
  • 電源電圧 (範囲)
    5 V ～ 20 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Rad hard high speed, dual channel low side gate driver RIC74424HSCB is intended for harsh radiation environments such as space. Electrical performance is characterized pre and post-irradiation over the entire military specification ambient temperature range of -55°C to 125°C. SEE characterized up to a linear energy transfer (LET) of 81.9 MeV·cm2/mg and hermetically packaged in an 8-pin flatpack, this device is screened to MIL-PRF-38535 Level B.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }