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RIC74424HSCB

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RIC74424HSCB
RIC74424HSCB
データシート

Product details

  • SEE
    81.9 MeV∙cm2/mg
  • tf
    15 ns
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • toff
    85 ns
  • ton
    100 ns
  • tr
    20 ns
  • VS max
    20 V
  • コンフィギュレーション
    Low-side
  • チャネル
    2
  • パッケージ
    8-Lead FlatPack
  • 出力電圧 max
    20 V
  • 製品カテゴリ
    HiRel Power ICs
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
  • 電源電圧のバイアス
    5 V to 20 V
  • 電源電圧
    5 V to 20 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-FP-8
パッケージ名 8 Pin Flatpack
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-FP-8
パッケージ名 8 Pin Flatpack
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard high speed, dual channel low side gate driver RIC74424HSCB is intended for harsh radiation environments such as space. Electrical performance is characterized pre and post-irradiation over the entire military specification ambient temperature range of -55°C to 125°C. SEE characterized up to a linear energy transfer (LET) of 81.9 MeV·cm2/mg and hermetically packaged in an 8-pin flatpack, this device is screened to MIL-PRF-38535 Level B.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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