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JANSR2N7660U3CE

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JANSR2N7660U3CE
JANSR2N7660U3CE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -24 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660U3CE
  • RDS (on) (@25°C) max
    72 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5e Ceramic Lid
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス max
    -100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 Enhanced SMD0.5
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー Yes
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 Enhanced SMD0.5
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
JANSR2N7660U3CE P-channel MOSFET is rad hard, with -100V and -24A, in a single SMD-0.5e Ceramic Lid package. It is QPL classified and has electrical performance up to 100krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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