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JANSR2N7660T3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7660T3
JANSR2N7660T3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    2
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -23 A
  • QG
    50 nC
  • QPL型番
    2N7660T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    76 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    Low-Ohmic TO-257AA
  • 極性
    P
  • 認定
    DLA
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSR2N7660T3 is a rad hard, single P-channel MOSFET in a TO-257AA Tabless low ohmic package. With -100V and -23A capabilities, this R9 generation device has up to 100krad(Si) TID and QPL classification. Its low RDS(on) and fast switching times makes it perfect for high-speed switching applications in motor controllers and DC-DC converters in space bus and payload systems.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }