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JANSR2N7659T3

データシート
パッケージ

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JANSR2N7659T3
JANSR2N7659T3
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    -20 A
  • ID (@25°C) (最大)
    -30 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7659T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    46 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF (最大)
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
JANSR2N7659T3 P-channel MOSFET is rad hard, with -60V and -30A, in a single TO-257AA low ohmic package. It has electrical performance up to 100krad(Si) TID and QPL classification. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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