JANSR2N7476T1
Active and preferred

JANSR2N7476T1

データシート
パッケージ

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JANSR2N7476T1
JANSR2N7476T1
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    29 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    44 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
JANSR2N7476T1 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 200V and current handling capacity of 45A. It is a single R5 MOSFET packaged in a TO-254AA low ohmic package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and QPL classification, it is ideal for space applications. Its low RDS(on) and low gate charge make it suitable for switching applications, while retaining all the benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ