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JANSR2N7476T1

データシート
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JANSR2N7476T1
JANSR2N7476T1
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    DLA
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
JANSR2N7476T1 N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a voltage rating of 200V and current handling capacity of 45A. It is a single R5 MOSFET packaged in a TO-254AA low ohmic package. With electrical performance up to 100krad(Si) TID and QPL classification, it is ideal for space applications. Its low RDS(on) and low gate charge make it suitable for switching applications, while retaining all the benefits of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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