ISZ0803NLS

OptiMOS™ low-voltage power MOSFET - perfectly addressing the needs of charger and adapter designs
データシート

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ISZ0803NLS
ISZ0803NLS
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    37 A
  • QG (typ @4.5V)
    6 nC
  • QG (typ @10V)
    11 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    16.9 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    21.9 mΩ
  • VDS (最大)
    100 V
  • VGS(th) (範囲)
    1.1 V ～ 2.3 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 予算価格€/ 1k
    0.36
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
OptiMOS™ PD power MOSFET is Infineon’s portfolio targeting USB-PD and adapter applications . ISZ0803NLS in the PQFN 3.3x3.3 package offers fast ramp-up and optimized lead times. OptiMOS™ low-voltage MOSFETs for power delivery enable designs with less parts leading to BOM cost reduction. OptiMOS™ PD features quality products in compact, lightweight packages.

特長

  • Logic level availability
  • Low on-state resistance RDS(on)
  • Low gate, output and reverse recovery charge
  • Excellent thermal behavior
  • Available in 2 small standard packages

利点

  • Short lead times
  • Quick quote response
  • Highest efficiency and power density designs
  • Compact, lightweight and environmentally friendly products
  • Excellent price-performance ratio

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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