IRLF120

データシート

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IRLF120
IRLF120
データシート

製品仕様情報

  • ID (@100°C) (最大)
    3.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    5.3 A
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    350 mΩ
  • VBRDSS (最小)
    100 V
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • パッケージ
    TO-205AF
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRLF120 is a high reliability, 100V, single, N-channel MOSFET in a TO-205AF package. It utilizes HEXFET MOSFET technology to achieve low on-state resistance, high transconductance, and superior reverse energy and diode recovery dv/dt capability. Ideal for power supplies, motor controls, choppers, audio amplifiers, and other high-energy pulse circuit applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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