IRHYS6S7130CM

データシート

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IRHYS6S7130CM
IRHYS6S7130CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHYS6S7130CM R6 N-channel MOSFET is a single rad hard device designed for space applications. With a voltage rating of 100V and a current rating of 20A, it is ideal for switching applications such as DC-DC converters and motor control. This MOSFET is radiation-hardened for up to 100krad(Si) TID classified. It also features low RDS(on), low gate charge, and fast switching.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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