IRHYS67230CSCS
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IRHYS67230CSCS
IRHYS67230CSCS
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    10 A
  • ID (@25°C) (最大)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • QPL型番
    2N7592T3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    130 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHYS67230CSCS R6 N-channel MOSFET is rad hard with 200V and 16A capacity. In a TO-257AA low ohmic package, it is designed for space applications. With improved immunity to Single Event Effect, it offers very low RDS(on) and faster switching times, increasing power density for DC-DC converters and motor controllers. Electrical performance is characterized up to 100krad(Si) TID.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ