IRHY67C30C
Active and preferred

IRHY67C30C

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHY67C30C
IRHY67C30C
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    2.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3000 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The IRHY67C30C R5 P-channel MOSFET is rad hard with a -200V and -8A capacity. Housed in a TO-257AA package, the electrical performance is up to 100krad(Si) TID, with QIRL classification. The device has low RDS(on) and gate charge for reduced power losses in switching applications, retaining MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ