IRHY67C30C
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IRHY67C30C

データシート
パッケージ

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IRHY67C30C
IRHY67C30C
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R6
  • ID (@100°C) (最大)
    2.1 A
  • ID (@25°C) (最大)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    3000 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 N/A
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 -
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IRHY67C30C R5 P-channel MOSFET is rad hard with a -200V and -8A capacity. Housed in a TO-257AA package, the electrical performance is up to 100krad(Si) TID, with QIRL classification. The device has low RDS(on) and gate charge for reduced power losses in switching applications, retaining MOSFET advantages such as voltage control, fast switching, and temperature stability.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ