IRHNS9A3064SCS

データシート

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IRHNS9A3064SCS
IRHNS9A3064SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    100 A
  • ID (@25°C) max
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL型番
    2N7652U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    4 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SupIR-SMD
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNS9A3064SCS R9 N-channel MOSFET is a radiation-hard, 60V, 100A device. In a SupIR-SMD package, it provides electrical performance up to 300krad(Si) TID and is QIRL space-grade. With low RDS(on) and faster switching times, it is ideal for high-speed switching applications, such as DC-DC converters and motor controllers. Its superior immunity to Single Event Effects (SEE) and LET up to 90MeV·cm2/mg makes it perfect for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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