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IRHNME9A7024

耐放射線性、60 V、25 A、SMD-0.2e セラミック リッド パッケージの耐放射線性MOSFET – 100 krad TID、COTS
データシート

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IRHNME9A7024
IRHNME9A7024
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製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    25 A
  • QG
    31 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    30 Ω
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2e
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNME9A7024は、60 V および 25 A 対応のセラミック リッドSMD-0.2eパッケージに搭載されたR9世代 耐放射線性シングルNチャネルMOSFETです。低いRDS(on)と高速スイッチングの組み合わせることで、より優れた性能が得られるため、航空宇宙アプリケーションに最適です。 DC-DCコンバータやモータードライブなどのアプリケーションにおける性能が向上します。このデバイスは、実績のある 電圧制御や高速スイッチングなど、MOSFETの利点をすべて備えています。

機能

  • SEE (シングルイベント効果) はLET = 90 MeV.cm2/mg まで強化されています
  • 低RDS(on)
  • 低い総ゲート電荷
  • 高速スイッチング
  • 気密封止セラミック パッケージ
  • 表面実装
  • 軽量
  • ESD定格: MIL-STD-750、Method 1020、class 1C

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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