IRHNMC57110SCS

データシート

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IRHNMC57110SCS
IRHNMC57110SCS
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    4.4 A
  • ID (@25°C) max
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL型番
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    220 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製哝ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ坝
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHNMC57110SCS R5 MOSFET is a rad hard device designed for space applications. With a 100V, 6.9A capacity and low RDS(on) and gate charge, it reduces power losses in high-speed switching applications such as DC-DC converters and motor control. Proven Single Event Effects (SEE) characterization up to an LET of 80MeV·cm2/mg. In a SMD-0.2 package, it is QIRL classified for spacecraft applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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