IRHNMC57110SCS

IRHNMC57110SCS

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNMC57110SCS
IRHNMC57110SCS

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1A
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    4.4 A
  • ID (@25°C) (最大)
    6.9 A
  • QG
    15 nC
  • QPL型番
    2N7503U8
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    220 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS (最小)
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    SMD-0.2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHNMC57110SCS R5 MOSFET is a rad hard device designed for space applications. With a 100V, 6.9A capacity and low RDS(on) and gate charge, it reduces power losses in high-speed switching applications such as DC-DC converters and motor control. Proven Single Event Effects (SEE) characterization up to an LET of 80MeV·cm2/mg. In a SMD-0.2 package, it is QIRL classified for spacecraft applications.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ