IRHNJC9A3130
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IRHNJC9A3130

データシート
パッケージ

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IRHNJC9A3130
IRHNJC9A3130
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    34 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJC9A3130 is a single device with 100V, 22A capabilities, packaged in R9 SMD-0.5 (ceramic lid) and rated for up to 300krad(Si) TID. Its low RDS(on) and faster switching times reduce power losses, increase power density and provide improved immunity to Single Event Effects (SEE) in high-speed switching applications. A COTS part, R9 MOSFETs are ideal for space applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ