Active and preferred

IRHNJC9A3130

データシート
パッケージ

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNJC9A3130
IRHNJC9A3130
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Ceramic Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJC9A3130 is a single device with 100V, 22A capabilities, packaged in R9 SMD-0.5 (ceramic lid) and rated for up to 300krad(Si) TID. Its low RDS(on) and faster switching times reduce power losses, increase power density and provide improved immunity to Single Event Effects (SEE) in high-speed switching applications. A COTS part, R9 MOSFETs are ideal for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }