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IRHNJC9A3130

データシート
パッケージ

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IRHNJC9A3130
IRHNJC9A3130
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 2
  • Generation
    R9
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    35 A
  • QG
    48 nC
  • QPL型番
    2N7648U3C
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    34 mΩ
  • TID (最大)
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5C
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJC9A3130 is a single device with 100V, 22A capabilities, packaged in R9 SMD-0.5 (ceramic lid) and rated for up to 300krad(Si) TID. Its low RDS(on) and faster switching times reduce power losses, increase power density and provide improved immunity to Single Event Effects (SEE) in high-speed switching applications. A COTS part, R9 MOSFETs are ideal for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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