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IRHNJ7230

データシート
パッケージ

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IRHNJ7230
IRHNJ7230
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) max
    6 A
  • ID (@25°C) max
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    400 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJ7230 is ideal for space applications with its 200V and 9.4A rating. It has low RDS(on) and gate charge, which reduces power losses in switching applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, this MOSFET ensures reliability in harsh environments.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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