IRHNJ7230
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IRHNJ7230
IRHNJ7230

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R4
  • ID (@100°C) (最大)
    6 A
  • ID (@25°C) (最大)
    9.4 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    400 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.4 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 認定
    COTS
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
The rad hard N-channel MOSFET IRHNJ7230 is ideal for space applications with its 200V and 9.4A rating. It has low RDS(on) and gate charge, which reduces power losses in switching applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID classification, this MOSFET ensures reliability in harsh environments.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ