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IRHNJ57Z30A

データシート
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IRHNJ57Z30A
IRHNJ57Z30A
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    20 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-CCN-3
パッケージ坝 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
Rad hard N-channel MOSFET IRHNJ57Z30A is a single device with a maximum voltage of 100V and current of 22A, designed for space applications. Its low RDS(on) and gate charge reduce power losses in DC-DC converters and motor control applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, this R5 MOSFET is ideal for harsh radiation environments. Comes in a compact SMD-0.5 package.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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