IRHNJ57Z30A
Active and preferred

IRHNJ57Z30A

データシート
パッケージ

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IRHNJ57Z30A
IRHNJ57Z30A
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1C
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    22 A
  • ID (@25°C) (最大)
    22 A
  • QG
    65 nC
  • QPL型番
    2N7479U3
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    20 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    30 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    SMD-0.5
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
C-CCN-3
パッケージ名 SMD-0.5 Straight LA, Au lead
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Rad hard N-channel MOSFET IRHNJ57Z30A is a single device with a maximum voltage of 100V and current of 22A, designed for space applications. Its low RDS(on) and gate charge reduce power losses in DC-DC converters and motor control applications. With electrical performance up to 100krad(Si) TID, this R5 MOSFET is ideal for harsh radiation environments. Comes in a compact SMD-0.5 package.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ