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IRHNA57260SE

データシート
パッケージ

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IRHNA57260SE
IRHNA57260SE
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    53.5 A
  • QG
    155 nC
  • QPL型番
    2N7473U2
  • RDS (on) (@25°C) max
    38 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    SMD-2
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
The IRHNA57260SE N-channel MOSFET is a radiation-hardened device with a 200V, 35A rating. The R5 device features low RDS(on) and gate charge, which deliver high power efficiency for DC-DC converters and motor control. The COTS device is designed for space applications, with Total Dose and Single Event Effects characterization. The SMD-2 package features lead form down, and electrical performance is up to 100krad(Si) TID.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }