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IRHMS9A93260

データシート
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IRHMS9A93260
IRHMS9A93260
データシート

Product details

  • ESDクラス
    3B
  • Generation
    R9
  • ID (@25°C) max
    -45 A
  • QG
    230 nC
  • QPL型番
    2N7666T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    34 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -200 V
  • VF max
    -1.3 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    P
  • 認定
    COTS
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS9A93260 P-channel MOSFET is rad hard, with -200V and -45A, in a single TO-254AA Low-Ohmic package with electrical performance up to 300krad(Si) TID. IR HiRel R9 technology provides proven flight-heritage in high reliability space applications. The device's low RDS(on) and low gate charge make it ideal for switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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