IRHMS57260SE
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IRHMS57260SE

データシート
パッケージ

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IRHMS57260SE
IRHMS57260SE
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    29 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    44 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHMS57260SE R5 N-channel MOSFET is a radiation hardened device that can handle up to 200V and 45A, making it ideal for space applications. It comes in a TO-254AA low ohmic package and has electrical performance up to 100krad(Si) TID with COTS classification. This MOSFET has low RDS(on) and gate charge capabilities making it efficient in switching applications.

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ