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IRHMS57260SE

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IRHMS57260SE
IRHMS57260SE
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    29 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    165 nC
  • QPL型番
    2N7476T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    44 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ坝 TO-254AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS57260SE R5 N-channel MOSFET is a radiation hardened device that can handle up to 200V and 45A, making it ideal for space applications. It comes in a TO-254AA low ohmic package and has electrical performance up to 100krad(Si) TID with COTS classification. This MOSFET has low RDS(on) and gate charge capabilities making it efficient in switching applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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