IRHMS57160SCSA
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IRHMS57160SCSA
IRHMS57160SCSA
データシート

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) (最大)
    45 A
  • ID (@25°C) (最大)
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    13 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
IRHMS57160SCSA R5 N-channel MOSFET is a space-grade device with rad hard design, 100V voltage rating, and 45A current rating. It comes in a TO-254AA low ohmic package with lead form down configuration. This MOSFET offers electrical performance up to 100krad(Si) TID classification. Its low RDS(on) and gate charge help reduce power losses in switching applications, while retaining all the inherent benefits of MOSFETs.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ