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IRHMS57160SCSA

データシート
パッケージ

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IRHMS57160SCSA
IRHMS57160SCSA
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 3B
  • Generation
    R5
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 nC
  • QPL型番
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300 500
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    6
  • パッケージ
    TO-254AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    QIRL
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO254-3
パッケージ名 TO-254AA LOW OHMIC LFD
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHMS57160SCSA R5 N-channel MOSFET is a space-grade device with rad hard design, 100V voltage rating, and 45A current rating. It comes in a TO-254AA low ohmic package with lead form down configuration. This MOSFET offers electrical performance up to 100krad(Si) TID classification. Its low RDS(on) and gate charge help reduce power losses in switching applications, while retaining all the inherent benefits of MOSFETs.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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