IRHLYS77034CM
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IRHLYS77034CM

データシート
パッケージ

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IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM
データシート


製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) (最大)
    20 A
  • ID (@25°C) (最大)
    20 A
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@25°C) (最大)
    45 mΩ
  • TID (最大)
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF (最大)
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V

推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ N/A
梱包形態 N/A
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 No

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
梱包サイズ 0
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
IRHLYS77034CM R7 MOSFET is a rad hard, TO-257AA low ohmic packaged device with a high rating of 60V, 20A, and electrical performance up to 100krad(Si) TID. With single event gate rupture and burnout immunity, it is ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments. Suitable for current boost in low signal sources and voltage comparators.

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ