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IRHLYS77034CM

データシート
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IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスチャーパッキン N/A
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
M-TO257-3
パッケージ名 TO-257AA LOW OHMIC
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IRHLYS77034CM R7 MOSFET is a rad hard, TO-257AA low ohmic packaged device with a high rating of 60V, 20A, and electrical performance up to 100krad(Si) TID. With single event gate rupture and burnout immunity, it is ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments. Suitable for current boost in low signal sources and voltage comparators.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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