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IRHLYS77034CM

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IRHLYS77034CM
IRHLYS77034CM

製品仕様情報

  • ESDクラス
    Class 1B
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    20 A
  • ID (@25°C) max
    20 A
  • QG
    34 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    45 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    3
  • パッケージ
    TO-257AA Low Ohmic
  • 極性
    N
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHLYS77034CM R7 MOSFET is a rad hard, TO-257AA low ohmic packaged device with a high rating of 60V, 20A, and electrical performance up to 100krad(Si) TID. With single event gate rupture and burnout immunity, it is ideal for interfacing CMOS and TTL control circuits to power devices in space and other radiation environments. Suitable for current boost in low signal sources and voltage comparators.

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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