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IRHLUB7930Z4

データシート
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IRHLUB7930Z4
IRHLUB7930Z4
データシート

Product details

  • ESDクラス
    Class 0
  • Generation
    R7
  • ID (@100°C) max
    -0.33 A
  • ID (@25°C) max
    -0.53 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL型番
    2N7626UB
  • RDS (on) (@25°C) max
    1300 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    100 300
  • コンフィギュレーション
    Discrete
  • ダイサイズ
    Z
  • パッケージ
    UB
  • 極性
    P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V
推奨
OPN
製哝ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ坝 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装サイズ N/A
包装形態 N/A
水分レベル N/A
モイスポャーパッキン N/A
鉛フリー No
ポロゲンフリー No
RoHS準拠 No
Infineon stock last updated:

製哝ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
C-LCC-4
パッケージ坝 LCC-3 + Gnd Pin Metal Lid
包装サイズ 0
包装形態
水分レベル -
モイスポャーパッキン
鉛フリー
ポロゲンフリー
RoHS対応
IRHLUB7930Z4 is a R7, rad hard, -60V, -0.53A, single, P-channel MOSFET in a UB package. It can operate in radiation environments with electrical performance up to 300krad(Si) TID and has immunity to single-event gate rupture and burnout. Suitable for interfacing various devices, it maintains acceptable threshold voltage over the operating temperature range.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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