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IRHG6110

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パッケージ

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IRHG6110
IRHG6110
データシート

製品仕様情報

  • Generation
    R4
  • ID (N-CH @100°C) max
    0.6 A
  • ID (N-CH @25°C) max
    1 A
  • ID (P-CH @100°C) max
    -0.5 A
  • ID (P-CH @25°C) max
    -0.75 A
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) (P-CH @25°C) max
    1400 mΩ
  • RDS (on) (N-CH @25°C) max
    700 mΩ
  • VBRDSS min
    100 V
  • オプションのTIDレート (kRad(si))
    300
  • コンフィギュレーション
    Quad
  • ダイサイズ
    1
  • パッケージ
    MO-036AB
  • 極性
    2N / 2P
  • 製品カテゴリ
    Rad hard MOSFETS
  • 言語
    SPICE, SPICE
  • 認定
    COTS
  • 電圧クラス
    100 V, 100 V
推奨
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IRHG6110 is a R4, rad hard, -100V dual 2N/2P-channel MOSFET in a MO-036AB package. This MOSFET has electrical performance up to 100krad(Si) TID and is ideal for switching applications like DC-DC converters and motor controllers, with low RDS(on) and low total gate charge. With MOSFET advantages like fast switching and temperature stability, it's reliable for space applications.

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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