IRFB33N15D

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package
データシート

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IRFB33N15D
IRFB33N15D
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    33 A
  • Ptot max
    3.8 W
  • Qgd
    27 nC
  • QG (typ @10V)
    60 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    56 mΩ
  • RthJC max
    0.9 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    4.25 V
  • VGS max
    30 V
  • Package
    TO-220
  • Mounting
    THT
  • Polarity
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Industry-leading quality
  • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
  • Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses
  • Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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