IRF8252

25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free SO-8 package designed for high efficiency DC-DC converters
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRF8252
IRF8252
データシート

Product details

  • ID (@ TA=70°C) max
    20 A
  • ID (@ TA=25°C) max
    25 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.5 W
  • Qgd
    12 nC
  • QG
    35 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) max
    2.7 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    3.7 mΩ
  • RthJA max
    50 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }