IRF7902

IRF7902

30V Dual N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package
データシート

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IRF7902
IRF7902
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    9.7 A, 6.4 A
  • Ptot (@ TA=25°C) (最大)
    2 W
  • Ptot (最大)
    2 W
  • Qgd (typ)
    2.3 nC, 2.3 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.6 nC, 6.5 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    14.4 mΩ, 22.6 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    18.7 mΩ, 29.7 mΩ
  • RthJA (最大)
    62.5 K/W
  • Tj (最大)
    150 °C
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.35 V～2.25 V
  • VGS(th)
    1.8 V
  • VGS (最大)
    20 V
  • パッケージ
    SO-8
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 極性
    N+N, N+N
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:

利点

  • RoHS Compliant
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal resistance to PCB
  • Compatible with Existing Surface Mount Techniques
  • Low RDS(ON) at 4.5V VGS
  • Very Low Gate Charge
  • Dual N-Channel MOSFET

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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