IRF6622

A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET SQ package rated at 59 amperes.
データシート

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IRF6622
IRF6622
データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) max
    15 A
  • ID (@ TA=70°C) max
    12 A
  • Ptot max
    34 W
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    2.2 W
  • Qgd
    3.8 nC
  • QG
    11 nC
  • RDS (on) max
    6.3 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    8.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    6.3 mΩ
  • RthJC max
    3.7 K/W
  • Tj max
    150 °C
  • VDS max
    25 V
  • VGS max
    20 V
  • パッケージ
    DirectFET SQ
  • マイクロステンシル
    IRF66SQ-25
  • モイスチャー感度レベル
    1
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }