Active and preferred
RoHS準拠

IQE220N15NM5SC

OptiMOS™ 5 low-voltage power MOSFET 150 V in PQFN 3.3x3.3 Source-Down DSC package
EA.
在庫あり

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IQE220N15NM5SC
IQE220N15NM5SC
EA.

Product details

  • ID (@25°C) max
    44 A
  • IDpuls max
    176 A
  • QG (typ @10V)
    14.4 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    22 mΩ
  • VDS max
    150 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 予算価格€/ 1k
    1.02
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
OPN
IQE220N15NM5SCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The IQE220N15NM5SC is part of the Source-Down family with an RDS(on) of 22 mOhm. The Source-Down technology introduces a flipped silicon die, offering increased thermal capability, improved power density and layout possibilities. The dual-side cooling package dissipates three times more power than to the overmolded package. The new technology can be found in two different footprints Standard-Gate and Center-Gate (optimized for parallelization).

機能

  • RDS(on) of 22 mOhm
  • Better RthJC compared to PQFN packages
  • Standard-gate footprints available
  • New, optimized layout possibilities

利点

  • Highest power density and performance
  • Superior thermal performance
  • Efficient use of real-estate
  • Standard-Gate for easy layout fit-in
  • Improved PCB losses
  • Reduced parasitics

用途

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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