新規
Active and preferred
RoHS準拠

IQE036N08NM6CGSC

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OptiMOS™ 6 n-channel power MOSFET 80 V in PQFN 3.3x3.3 Source Down Center Gate Dual-Side Cooling
データシート
パッケージ

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IQE036N08NM6CGSC
IQE036N08NM6CGSC
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    118 A
  • IDpuls max
    472 A
  • QG (typ @10V)
    30 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.6 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Center Gate Dual Side Cooling
推奨
OPN
IQE036N08NM6CGSCATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-WHTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 6000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 6 80 V - the latest power MOSFET technology offering industry benchmark performance. Compared to its predecessor, OptiMOS™ 5, Infineon's latest wafer technology offers significant performance improvement resulting to higher system efficiency and power density.

機能

  • High performance silicon technology
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

利点

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved heat dissipation
  • Improved power, SOA & avalanche current
  • Robust reliable performance

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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