IQE012N03LM5CG
Active and preferred
RoHS対応

IQE012N03LM5CG

OptiMOS™ 5低電圧パワーMOSFET 30 V、PQFN 3.3x3.3最高の価格性能比を実現するソースダウン センターゲート パッケージ
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IQE012N03LM5CG
IQE012N03LM5CG
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    224 A
  • IDpuls (最大)
    896 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18.9 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.15 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) (最大)
    1.55 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.4 K/W
  • VDS (最大)
    30 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQE012N03LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 -
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
革新的なPQFN (3.3x3.3) センターゲート構造のソースダウン パッケージに搭載されたIQE012N03LM5CG、OptiMOS™ 5 30 VパワーMOSFET 1.20 mΩは、サーマル パッドを介してソース電位をPCBに直接接続するフリップ チップ設計を採用し、熱処理能力の向上、高電力密度化、スペースに制約のある基板領域で容易な設計を可能にするセンターゲート フットプリントでのレイアウトの自由度向上など、いくつかの利点をもたらします。

特長

  • 拡張ゲート電圧定格
  • 温度定格175℃
  • 最高の価格性能比

利点

  • ゲート電圧オーバードライブ
  • Cgの高速充放電
  • 信頼性の向上
  • 高電力密度
  • 競争力のある価格
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ