新規
Active and preferred
RoHS準拠

IQE012N03LM5CG

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OptiMOS™ 5低電圧パワーMOSFET 30 V、PQFN 3.3x3.3最高の価格性能比を実現するソースダウン センターゲート パッケージ
データシート
パッケージ

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IQE012N03LM5CG
IQE012N03LM5CG
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    224 A
  • IDpuls max
    896 A
  • Ptot max
    107 W
  • QG (typ @10V)
    40 nC
  • QG (typ @4.5V)
    18.9 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.15 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.55 mΩ
  • RthJC max
    1.4 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    PQFN 3.3x3.3 Source-Down
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IQE012N03LM5CGATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TTFN-9
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
革新的なPQFN (3.3x3.3) センターゲート構造のソースダウン パッケージに搭載されたIQE012N03LM5CG、OptiMOS™ 5 30 VパワーMOSFET 1.20 mΩは、サーマル パッドを介してソース電位をPCBに直接接続するフリップ チップ設計を採用し、熱処理能力の向上、高電力密度化、スペースに制約のある基板領域で容易な設計を可能にするセンターゲート フットプリントでのレイアウトの自由度向上など、いくつかの利点をもたらします。

機能

  • 拡張ゲート電圧定格
  • 温度定格175℃
  • 最高の価格性能比

利点

  • ゲート電圧オーバードライブ
  • Cgの高速充放電
  • 信頼性の向上
  • 高電力密度
  • 競争力のある価格

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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