新規
Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IPLT60R055CM8

新規
600 V CoolMOS™ 8パワートランジスタ
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPLT60R055CM8
IPLT60R055CM8
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    48 A
  • IDpuls (最大)
    148 A
  • QG
    51 nC
  • QG (typ @10V)
    51 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    55 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    46 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) (範囲)
    3.7 V ～ 4.7 V
  • VGS(th)
    4.2 V
  • パッケージ
    TOLT
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Best price-performance with highest efficiency and fast recovery diode
推奨
OPN
IPLT60R055CM8XTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
インフィニオンの世界クラスのスーパージャンクションMOSFETプラットフォーム上に構築され、高速ボディダイオードが統合されているため、幅広いアプリケーションに適しています。600 V CoolMOS™ 8は、可能な限り低いシステムコストで最高の電力密度と優れた信頼性を実現します。これは、インフィニオンのWBG製品と600 V CoolMOS™ 7 MOSFETファミリーの後継製品を強化するものです。

特長

  • 損失を大幅に削減
  • 優れた整流耐性
  • 高速ボディダイオードを内蔵
  • ESD保護
  • .XT相互接続技術
  • ハードスイッチングおよびソフトスイッチングアプリケーション向け

利点

  • 電力密度の向上
  • 使いやすさと設計サイクルの短縮
  • 最高の価格性能比
  • システムサイズの縮小
  • 複数のトポロジーの有効化
  • 熱性能の向上

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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