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IPB019N08NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package
データシート
パッケージ

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IPB019N08NF2S
IPB019N08NF2S
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    166 A
  • IDpuls max
    664 A
  • Ptot max
    250 W
  • QG (typ @10V)
    124 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.95 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • Battery voltage
    36-48 V
  • Package
    D2PAK (TO-263)
  • Budgetary Price €/1k
    1.25
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
推奨
OPN
IPB019N08NF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

機能

  • Broad availability distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Standard through-hole package footprint
  • High current rating

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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