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IPB019N08NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 80 V in D²PAK package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IPB019N08NF2S
IPB019N08NF2S
EA.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    166 A
  • IDpuls (最大)
    664 A
  • Ptot (最大)
    250 W
  • QG (typ @10V)
    124 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.95 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) (範囲)
    2.2 V ～ 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • バッテリー電圧
    36-48 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • 予算価格€/ 1k
    1.25
  • 動作温度 (範囲)
    -55 °C ～ 175 °C
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPB019N08NF2SATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V features low RDS(on) of 1.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Broad availability distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Standard through-hole package footprint
  • High current rating

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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