IPA60R360CFD7

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Infineon’s answer to resonant high power topologies
データシート

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IPA60R360CFD7
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製品仕様情報

  • ID (最大)
    5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    5 A
  • IDpuls (最大)
    24 A
  • Ptot (最大)
    23 W
  • QG
    14 nC
  • QG (typ @10V)
    14 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    360 mΩ
  • RDS (on) (最大)
    360 mΩ
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3.5 V～4.5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • パッケージ
    TO220 FullPAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    THT
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The 600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET is Infineon’s high voltage superjunction MOSFET technology with an integrated fast body diode, completing the CoolMOS™ 7 series. The CFD7 is the successor to the CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET family and comes with a reduced gate charge (Qg), improved turn-off behavior, and a reverse recovery charge (Qrr) of up to 69% lower compared to the competition, as well as the lowest reverse recovery time (trr) in the market.

特長

  • Ultra-fast body diode
  • Best-in-class reverse recovery charge (Qrr)
  • Improved reverse diode dv/dt and dif/dt ruggedness
  • Lowest FOM RDS(on) x Qg and Eoss
  • Best-in-class RDS(on)/package combinations

利点

  • Best-in-class hard commutation ruggedness
  • Highest reliability for resonant topologies
  • Highest efficiency with outstanding ease-of-use/performance trade-off
  • Enabling increased power density solutions

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ