IMZC120R007M2H
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IMZC120R007M2H

沿面距離を確保したTO-247 4ピン パッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFETディスクリート1200 V G2
データシート
パッケージ

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IMZC120R007M2H
IMZC120R007M2H
データシート


製品仕様情報

  • VDS (最大)
    1200 V
  • パッケージ
    TO-247-4 high creepage
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial

推奨
OPN
IMZC120R007M2HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO-247-4 HC 8.8mm
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO-247-4 HC 8.8mm
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
CN
ウェハ製造国
AT,MY
十分な沿面距離を確保したTO-247 4ピン パッケージに搭載されたCoolSiC™ MOSFETディスクリート1200 V、7 mΩ G2は、第1世代の技術がもつ強みを活かして、コストが最適化され、効率的でコンパクト、設計が容易な、信頼性の高いシステムを実現する高度なソリューションを提供します。これにより、AC-DC、DC-DC、DC-ACステージの一般的な組み合わせすべてにおいて、ハードスイッチング動作とソフトスイッチング トポロジーの両方において性能が向上しています。

特長

  • RDS(on) = 7 mΩ、VGS = 18 V、Tvj = 25°C
  • きわめて低いスイッチング損失
  • -10 V～+25 Vまでの広い最大VGS 範囲
  • Tvj = 200°C までの過負荷での動作が可能
  • 最大短絡耐量時間: 2 µs
  • 業界標準となるゲートしきい値電圧: 4.2 V
  • 寄生ターンオンに対する堅牢性
  • .XT 相互接続技術
  • ばらつきが小さいVGS(th) パラメーター分布

利点

  • 高いエネルギー効率
  • 冷却の最適化
  • 高い電力密度
  • 新しい堅牢性
  • 高い信頼性
  • 容易な並列化
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ