Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMYR140R008M2H

CoolSiC™ MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package
データシート
パッケージ

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IMYR140R008M2H
IMYR140R008M2H
データシート

Product details

  • Ciss
    6450 pF
  • Coss
    225 pF
  • ID (@25°C) max
    207 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    710 W
  • Qgd
    40 nC
  • QG
    203 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    8.5 mΩ, 8 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.21 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    1400 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4-U08
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMYR140R008M2HXLSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ MOSFET discrete 1400 V, 8 mΩ G2 in a TO-247PLUS-4 Reflow package is ideal for high-output power applications such as EV charging, ESS, CAV and other applications. The CoolSiC™ MOSFET G2 1400 V technology is a cutting-edge technology offering improved thermal performance, increased power density, and enhanced reliability. The package is the reflow capability (3 x reflow soldering possible) enabling lower thermal resistance.

機能

  • VDSS = 1400 V at Tvj = 25°C
  • IDDC = 188 A at TC = 100°C
  • RDS(on)= 5.8 mΩ at VGS= 18 V, Tvj= 25°C
  • Very low switching losses
  • Package backside 3x reflow solderable
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage 4.2 V
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology
  • Package with wide power pins (2 mm)

利点

  • Increased power density
  • Increased system output power
  • Improved overall efficiency
  • Robustness against transient overloads
  • Robustness against avalanche condition
  • Robustness against Miller effect
  • Ease of system design
  • Easy paralleling

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }