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IGC090S18S1

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CoolGaN™トランジスタ175 V G3、PQFN 3x5、6.7 mΩ
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IGC090S18S1
IGC090S18S1
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    46 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    340 A
  • QG
    8.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    6.7 mΩ
  • VDS (最大)
    175 V
  • パッケージ
    PQFN
  • 認定
    Industrial
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
IGC090S18S1は、小型のPQFN 3x5パッケージに収められた175 Vのノーマリオフe-modeパワートランジスタで、高電力密度の設計が可能です。オン抵抗が非常に低いため、要求の厳しい高電圧、高電流アプリケーションで信頼性の高い性能を発揮するのに最適です。

特長

  • 175 V e-modeパワー トランジスタ
  • 両面放熱パッケージ
  • 逆回復電荷なし
  • 逆導通が可能
  • 低ゲート電荷、低出力電荷
  • JEDEC準拠

利点

  • 最高クラスの電力密度
  • きわめて高い効率
  • 優れた熱管理機能
  • 小型、軽量設計が可能
  • 優れた信頼性
  • BOMコストの削減

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }