近日公開
RoHS準拠
鉛フリー

IGC016K10S2

CoolGaN™トランジスタ100 V G5、PQFN 3x5、1.3 mΩ | ショットキーダイオード内蔵

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IGC016K10S2
IGC016K10S2

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    108 A
  • IDpuls (@25°C) max
    510 A
  • QG
    16 nC
  • RDS (on) (typ)
    1.3 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • パッケージ
    PQFN
  • 認定
    Industrial
OPN
IGC016K10S2XTMA1
製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 N/A
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス coming soon
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 -
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IGC016K10S2は、100 Vノーマリ オフのeモードGaNパワー トランジスタとショットキー ダイオードを、3 x 5 mmの小型パッケージに統合しています。この統合機能により、逆導通損失が最小限に抑えられ、さらに高いシステム効率を実現できます。

機能

  • 100 V eモード パワー トランジスタ
  • モノリシックに実装されたショットキーダイオード
  • 上面放熱型 3x5 mm パッケージ
  • 高出力性能
  • 逆回復電荷なし
  • 超低ゲート電荷、超低出力電荷
  • JEDEC規格準拠
  • 超高速スイッチング
  • 低逆導通電圧
  • 優れた放熱性を実現するエクスポーズド ダイパッド
  • 湿度感度レベルMSL1

利点

  • 省スペースで非常に堅牢なパッケージ
  • 全体的な部品数を削減
  • 使いやすい回路設計
  • BOMコストの削減
  • 優れた信頼性
  • 最高レベルの効率

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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