FF4MR12W2M1HP_B11_A
Active and preferred
RoHS対応

FF4MR12W2M1HP_B11_A

EV電力変換およびeAviationエコシステム向けAQG324認定CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジモジュール
データシート

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FF4MR12W2M1HP_B11_A
FF4MR12W2M1HP_B11_A
データシート

製品仕様情報

  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    4 mΩ
  • アプリケーション
    SST, SPU, UPS, OBC, EV Charger
  • コンフィギュレーション
    Half-bridge
  • パッケージ
    Easy 2B
  • 寸法 (width)
    48 mm
  • 寸法 (length)
    62.8 mm
  • 特長
    PressFIT, TIM
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
FF4MR12W2M1HPB11ABPSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 18
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー No
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ AG-EASY2B
パッケージ名 -
梱包サイズ 18
梱包形態 TRAY
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
AQG324認定のEasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFETハーフブリッジ モジュール1200 V、4 mΩ、NTC温度センサー、熱伝導材料 (TIM) 塗布済み、EV電力変換およびeAviationエコシステム向けPressFITコンタクト テクノロジーを搭載

特長

  1. 高さ12 mmの最高クラスパッケージ
  2. 最先端のWBG素材
  3. 高スイッチング周波数向けCoolSiC™
  4. 市場最小レベルのRDSonおよびFITレート
  5. 熱伝導材料 (TIM) 塗布済み
  6. PressFITピンとはんだピンが使用可能

利点

  1. コンパクトで軽量な設計
  2. システムサイズと重量の削減
  3. 高信頼性パッケージコンセプト
  4. 高電力密度、高効率
  5. 開発時間とコストの削減
  6. AQG324認定で車載規格に対応

図

Circuit diagram FF4MR12W2M1HP_B11_A
Circuit diagram FF4MR12W2M1HP_B11_A
Circuit diagram FF4MR12W2M1HP_B11_A Circuit diagram FF4MR12W2M1HP_B11_A Circuit diagram FF4MR12W2M1HP_B11_A
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